參數(shù)資料
型號: S71WS512NC0BFWY63
廠商: Spansion Inc.
英文描述: Stacked Multi-Chip Product (MCP)
中文描述: 堆疊式多芯片產(chǎn)品(MCP)
文件頁數(shù): 128/188頁
文件大小: 2252K
代理商: S71WS512NC0BFWY63
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126
S71WS-Nx0 Based MCPs
S71WS-N_01_A4 September 15, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
31.3.4.2
MRS# = V
IH
, OE# = V
IH
, WAIT# = High-Z, UB# & LB# Controlled
W rite Cycle ( Low ADV# Type)
Notes:
1.
A write occurs during the overlap (t
) of low CS# and low WE#. A write begins when CS# goes low and WE# goes low
with asserting UB# or LB# for single byte operation or simultaneously asserting UB# and LB# for double byte operation.
A write ends at the earliest transition when CS# goes high or WE# goes high. The t
WP
is measured from the beginning
of write to the end of write.
t
CW
is measured from the CS# going low to the end of write.
t
AS
is measured from the address valid to the beginning of write.
t
is measured from the end of write to the address change. t
WR
is applied in case a write ends with CS# or WE#
going high.
Clock input does not have any affect to the write operation if the parameter t
WLRL
is met.
Figure 31.9 Timing Waveform Of Write Cycle (Low ADV# Type)
2.
3.
4.
5.
Table 31.8 Asynchronous Write in Synchronous Mode AC Characteristics
Notes:
1.
2.
Low ADV# type multiple write, UB#, LB# controlled.
t
WP(min)
= 70ns for continuous write operation over 50 times.
Symbol
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
Speed
Units
Symbol
t
WLRL
t
AS
t
WR
t
DW
t
DH
Speed
Units
clock
Min
70
60
60
60
Max
Min
1
0
0
30
0
Max
ns
ns
55 (note 2)
Address
Data Valid
WE#
Data in
t
WC
t
CW
t
BW
t
WP
t
DH
t
DW
t
WR
t
AW
t
AS
CS#
ADV#
Data out
High-Z
CLK
Read Latency 5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
10
11
12
13
14
t
WLRL
High-Z
UB#, LB#
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