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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NC0BFWY63 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP） |
| 文件頁數(shù)： | 103/188頁 |
| 文件大?。?/td> | 2252K |
| 代理商： | S71WS512NC0BFWY63 |
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Publication Number
S71WS-N_01
Revision
A
Amendment
4
Issue Date
September 15, 2005
ADVANCE
INFORMATION
1.8V pSRAM Type 4
4M x 16-bit Synchronous Burst pSRAM
Features
Process Technology: CMOS
Organization: 4M x16 bit
Power Supply Voltage: 1.7~ 2.0V
Three State Outputs
Supports MRS (Mode Register Set)
MRS control - MRS Pin Control
Supports Power Saving modes - Partial Array Refresh mode Internal TCSR
Supports Driver Strength Optimization for system environment power saving
Supports Asynchronous 4-Page Read and Asynchronous Write Operation
Supports Synchronous Burst Read and Asynchronous Write Operation (Address Latch Type
and Low ADV# Type)
Supports Synchronous Burst Read and Synchronous Burst Write Operation
Synchronous Burst (Read/Write) Operation
— Supports 4 word / 8 word / 16 word and Full Page(256 word) burst
— Supports Linear Burst type & Interleave Burst type
— Latency support:
Latency 5 @ 66 MHz(t
CD
10ns)
Latency 4 @ 54 MHz(t
CD
10ns)
— Supports Burst Read Suspend in No Clock toggling
— Supports Burst Write Data Masking by /UB & /LB pin control
— Supports WAIT# pin function for indicating data availability.
Max. Burst Clock Frequency: 66 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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