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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JA0BFI9P2 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 81/149頁 |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JA0BFI9P2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁當前第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
Ocotober 16, 2004 pSRAM_Type06_14_A1
pSRAM Type 6
81
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics (Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 3 to 4)
Capacitance (Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Note:
This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.
AC Characteristics and Operating Conditions
(Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 5 to 11)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
IL
Input Leakage
Current
V
IN
= 0 V to V
DD
-1.0
—
+ 1.0
μA
I
LO
Output Leakage
Current
Output disable, V
OUT
= 0 V to V
DD
-1.0
—
+ 1.0
μA
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= - 0.5 mA
2.0
V
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.0 mA
—
—
0.4
V
I
DDO1
Operating Current
CE1#= V
IL
, CE2 = V
IH
, I
OUT
= 0
mA, t
RC
= min.
ET5UZ8A-43DS
—
—
40
mA
ET5VB5A-43DS
—
—
50
I
DDO2
Page Access
Operating Current
CE1#= V
IL
, CE2 = V
IH
, I
OUT
= 0 mA
Page add. cycling, t
RC
= min.
—
—
25
mA
I
DDS
Standby Current
(MOS)
CE1# = V
DD
- 0.2 V,
CE2 = V
DD
- 0.2 V
ET5UZ8A-43DS
—
—
70
mA
ET5VB5A-43DS
—
—
100
μA
I
DDSD
Deep Power-down
Standby Current
CE2 = 0.2 V
—
—
5
μA
Symbol
Parameter
Test Condition
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= GND
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= GND
10
pF
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
t
RC
Read Cycle Time
70
10000
ns
t
ACC
Address Access Time
—
70
ns
t
CO
Chip Enable (CE1#) Access Time
—
70
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
25
ns
t
BA
Data Byte Control Access Time
—
25
ns
t
COE
Chip Enable Low to Output Active
10
—
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
BE
Data Byte Control Low to Output Active
0
—
ns
t
OD
Chip Enable High to Output High-Z
—
20
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
—
20
ns
t
BD
Data Byte Control High to Output High-Z
—
20
ns
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PDF描述 |
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