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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JA0BFI9P2 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 134/149頁 |
| 文件大小： | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JA0BFI9P2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁當前第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
134
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A1 November 2, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics
(Under Recommended Conditions Unless Otherwise Noted)
Notes:
1.
All voltages are referenced to V
SS
.
2.
DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3.
I
OUT
depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-1.0
+ 1.0
-1.0
+ 1.0
-1.0
+ 1.0
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
, Output Disable
-1.0
+ 1.0
-1.0
+ 1.0
-1.0
+ 1.0
μ
A
Output High
Voltage Level
V
OH
V
DD
= V
DD
(min), I
OH
= –0.5mA
2.2
—
2.4
—
2.4
—
V
Output Low
Voltage Level
V
OL
I
OL
= 1mA
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
V
DD
Power
Down Current
I
DDPS
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE2
≤
0.2 V
SLEEP
10
—
10
—
10
μ
A
I
DDP4
4M Partial
N/A
—
40
N/A
μ
A
I
DDP8
8M Partial
N/A
—
50
—
80
μ
A
I
DDP16
16M Partial
N/A
N/A
—
100
μ
A
V
DD
Standby
Current
I
DDS
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE1 = CE2 = V
IH
—
1
—
1.5
—
1.5
mA
I
DDS1
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
≤
0.2V or V
IN
≥
V
DD
– 0.2V,
CE1 = CE2
≥
V
DD
– 0.2V
TA<
+
85
°
C
—
100
—
80
—
170
μ
A
TA<
+
40
°
C
90
μ
A
V
DD
Active Current
I
DDA1
V
DD
= V
DD
max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE1 = V
IL
and CE2= V
IH
,
I
OUT
= 0mA
t
RC
/ t
WC
= min.
—
20
—
30
—
40
mA
I
DDA2
t
RC
/ t
WC
= 1
μ
s
—
3
—
3
—
5
mA
V
DD
Page
Read Current
I
DDA3
V
DD
= V
DD
max., V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE1 = V
IL
and CE2= V
IH
,
I
OUT
= 0mA, t
PRC
= min.
N/A
—
10
—
10
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL129JC0BFW9Z0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JB0BFW9Z0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JA0BFW9Z0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BAW9Z2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JB0BAW9Z2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL129JA0BFI9P3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JA0BFI9U0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JA0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JA0BFI9U3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JA0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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