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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29CD032G0PFAN010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 2.5 VOLT ONLY BURST MODE DUAL BOOT, SIMULTANEOUS READ /WRITE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 86/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1608K |
| 代理商： | S29CD032G0PFAN010 |
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86
S29CD032G
30606B0 March 22, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the section for more information.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
85
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
5
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
2
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
8
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
8
ns
t
WP
WE# Width
Min
32
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
16
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWsH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Double-Word
Typ
18
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec.
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