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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29CD032G0PFAN010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 2.5 VOLT ONLY BURST MODE DUAL BOOT, SIMULTANEOUS READ /WRITE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 80/93頁(yè) |
| 文件大小： | 1608K |
| 代理商： | S29CD032G0PFAN010 |
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80
S29CD032G
30606B0 March 22, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the section for more information.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
85
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
5
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
28
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup to WE# Rising Edge
Min
18
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold from WE# Rising Edge
Min
2
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
8
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
8
ns
t
WLWH
t
WP
WE# Width
Min
22
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Double-Word
Typ
18
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec.
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
RY/BY# Delay After WE# Rising Edge
Max
90
ns
t
WPWS
WP# Setup to WE# Rising Edge with
Command
Min
20
ns
t
WPRH
WP# Hold after RY/BY# Rising Edge
Max
2
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