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參數(shù)資料
| 型號： | S29CD032G0PFAN010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 2.5 VOLT ONLY BURST MODE DUAL BOOT, SIMULTANEOUS READ /WRITE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 42/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1608K |
| 代理商： | S29CD032G0PFAN010 |
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42
S29CD032G
30606B0 March 22, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Table 15. CFI System Interface String
Addresses
Data
Description
1Bh
0023h
V
CC
Min. (write/erase)
DQ7–DQ4: volts, DQ3–DQ0: 100 millivolt
1Ch
0027h
V
CC
Max. (write/erase)
DQ7–DQ4: volts, DQ3–DQ0: 100 millivolt
1Dh
0000h
V
PP
Min. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Eh
0000h
V
PP
Max. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Fh
0004h
Typical timeout per single word/doubleword program 2
N
μs
20h
0000h
Typical timeout for Min. size buffer program 2
N
μs (00h = not
supported)
21h
0009h
Typical timeout per individual block erase 2
N
ms
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2
N
ms (00h = not supported)
23h
0005h
Max. timeout for word/doubleword program 2
N
times typical
24h
0000h
Max. timeout for buffer write 2
N
times typical
25h
0007h
Max. timeout per individual block erase 2
N
times typical
26h
0000h
Max. timeout for full chip erase 2
N
times typical (00h = not supported)
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PDF描述 |
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