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參數(shù)資料
| 型號： | S29CD032G0PFAN010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 2.5 VOLT ONLY BURST MODE DUAL BOOT, SIMULTANEOUS READ /WRITE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 74/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1608K |
| 代理商： | S29CD032G0PFAN010 |
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74
S29CD032G
30606B0 March 22, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Asynchronous Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 12 and Table 22 for test specifications
Figure 15. Conventional Read Operations Timings
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
0R
0P
0M
0J
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
48
54
64
67
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
48
54
64
67
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
52
58
69
71
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
20
28
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
10
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Min
2
ns
Max
10
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First (Note 1)
Min
2
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
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