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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT9LD272 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動(dòng)態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲(chǔ)器模塊）) |
| 中文描述： | 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽（200萬× 72緩沖動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊（雙列直插存儲(chǔ)器模塊）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/29頁(yè) |
| 文件大小： | 491K |
| 代理商： | MT9LD272 |
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2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
9
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FAST PAGE MODE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 12, 35) (V
DD
= +3.3V ±0.3V)
AC CHARACTERISTICS - FAST PAGE MODE OPTION
PARAMETER
Access time from column address
Column-address hold time (referenced to RAS#)
Column-address setup time
Row-address setup time
Column address to WE# delay time
Access time from CAS#
Column-address hold time
CAS# pulse width
CAS# hold time (CBR Refresh)
CAS# to output in Low-Z
CAS# precharge time
Access time from CAS# precharge
CAS# to RAS# precharge time
CAS# hold time
CAS# setup time (CBR Refresh)
CAS# to WE# delay time
WRITE command to CAS# lead time
Data-in hold time
Data-in setup time
Output disable
Output enable
OE# hold time from WE# during READ-MODIFY-WRITE cycle
Output buffer turn-off delay
OE# setup prior to RAS# during HIDDEN REFRESH cycle
FAST-PAGE-MODE READ or WRITE cycle time
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHR
t
CLZ
t
CP
t
CPA
t
CRP
t
CSH
t
CSR
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OFF
t
ORD
t
PC
MIN
MAX
35
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
23
22
21
23
21, 28
14, 23
23
43
2
5
57
20
15
15
8
5
10
10,000
4, 22
21, 30
15
23
23
22
4, 21
21, 28
40
10
58
7
42
15
15
-2
3
23, 27
22, 27
15
15
13
5
0
35
22, 26
19, 25, 33
20
CAPACITANCE
PA RA METER
Input Capacitance: A0-A11, B0, PDE#, OE0#, OE2#
Input Capacitance: WE0#, WE2#, CAS0#, CAS4#
Input Capacitance: RAS0#, RAS2#
Input/Output Capacitance: DQ0-DQ71
Output Capacitance: PD1-PD8
SYMBOL 16MB 32MB UNITS NOTES
C
I
1
9
C
I
2
9
C
I
3
39
67
C
IO
10
10
C
O
10
10
9
9
pF
pF
pF
pF
pF
2
2
2
2
2
MA X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
| MTD20N06HDLT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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