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參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動(dòng)態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| 中文描述： | 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽（200萬× 72緩沖動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊（雙列直插存儲器模塊）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 491K |
| 代理商： | MT9LD272 |
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2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
7
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(Notes: 1) (V
DD
= +3.3V ±0.3V)
PA RA METER/CONDITION
SUPPLY VOLTAGE
INPUT HIGH VOLTAGE: Logic 1; All inputs
INPUT LOW VOLTAGE: Logic 0; All inputs
INPUT LEAKAGE CURRENT:
Any input 0V
￡
V
IN
￡
V
DD
+ 0.3V
(All other pins not under test = 0V)
SYMBOL
V
DD
V
IH
V
IL
MIN
3
2
-0.5
MA X
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
UNITS NOTES
V
V
V
36
36
CAS0#, CAS4#,
A0-A11, B0, PDE#,
WE0#, WE2#, OE0#, OE2#
I
I
1
-2
2
μA
RAS0#-RAS3#
DQ0-DQ71,
PD1-PD8
I
I
2
I
OZ
-18
-5
18
5
μA
μA
OUTPUT LEAKAGE CURRENT:
DQ is disabled; 0V
￡
V
OUT
￡
V
DD
+ 0.3V
OUTPUT LEVELS:
Output High Voltage (I
OUT
= -2mA)
Output Low Voltage (I
OUT
= 2mA)
V
OH
2.4
–
V
V
OL
–
0.4
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on V
DD
Pin Relative to V
SS
........-1V to +4.6V
Voltage on Inputs or I/O Pins
Relative to V
SS
.....................................-1V to +4.6V
Operating Temperature, T
A
(ambient) .. 0°C to +70°C
Storage Temperature (plastic) ........... -55°C to +125°C
Power Dissipation ................................................... 9W
*Stresses greater than those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only, and functional
operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections
of this specification is not implied. Exposure to abso-
lute maximum rating conditions for extended periods
may affect reliability.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
| MTD20N06HDLT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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