參數(shù)資料
型號(hào): MT9LD272
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動(dòng)態(tài)RAM模塊(雙列直插存儲(chǔ)器模塊))
中文描述: 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽(200萬(wàn)× 72緩沖動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊(雙列直插存儲(chǔ)器模塊))
文件頁(yè)數(shù): 6/29頁(yè)
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代理商: MT9LD272
2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
6
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
NOTE:
* This addressing includes a redundant address to allow mixing of 12/10 and 11/11 DRAMs with the same presence-detect setting.
V
SS
= Ground; V
OL
= 0; NC = 1.
PRESENCE-DETECT TRUTH TABLE
CHARACTERISTICS
Module
Configuration
No module installed
1 Meg x 64/72
1 Meg x 64/72
2 Meg x 64/72
2 Meg x 64/72
4 Meg x 64/72
4 Meg x 64/72
8 Meg x 64/72
Page Mode
PRESENCE-DETECT PIN (PDx)
Module
Density
0MB
8MB
8MB
16MB
16MB
32MB
32MB
64MB
Row/Column
A ddresses
X
10/9
10/10
10/10
11/10
11/10
12*/11*
12*/11*
Fast Page Mode
EDO Page Mode
70ns
60ns
50ns
Standard
x64, No Parity
x72, ECC
ID0
ID1
1
1
1
0
1
1
0
1
0
2
1
1
0
0
0
1
1
0
3
1
0
1
1
0
0
0
1
4
1
0
0
0
1
1
1
1
5
6
7
8
0
1
Access Timing
0
1
0
1
1
0
Refresh Control
Data Width
Vss
Vss
Vss
1
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT9VDDT1672A DDR SDRAM DIMM
MT9VDDT3272A DDR SDRAM DIMM
MTB2P50E Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET)
MTB50P03HDL Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET)
MTD20N06HDLT4 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT9LD272A 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs
MT9LD272AG-52B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT9LD272AG-5X 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
MT9LD272AG-6 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module
MT9LD272AG-60B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module