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參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| 中文描述： | 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽（200萬× 72緩沖動態(tài)內(nèi)存模塊（雙列直插存儲器模塊）） |
| 文件頁數(shù)： | 25/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 491K |
| 代理商： | MT9LD272 |
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2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
25
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
RAS#-ONLY REFRESH CYCLE
34
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
RAS#
tRC
tRAS
tRP
tCRP
tASR
tRAH
ROW
OPEN
DQ
V
OL
tRPC
WE#
V
IL
DON’T CARE
UNDEFINED
-5*
-6
SYMBOL
t
RC (FPM)
t
RC (EDO)
t
RP
t
RPC (FPM)
t
RPC (EDO)
MIN
–
84
30
–
5
MAX
MIN
110
104
40
0
5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
ASR
t
CRP
t
CSR
t
RAH
t
RAS
MIN
5
10
7
7
50
MAX
MIN
5
10
7
8
60
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
*EDO version only
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
| MTD20N06HDLT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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