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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT9LD272 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動(dòng)態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲(chǔ)器模塊）) |
| 中文描述： | 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽（200萬(wàn)× 72緩沖動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊（雙列直插存儲(chǔ)器模塊）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 491K |
| 代理商： | MT9LD272 |
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2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
26
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
CBR REFRESH CYCLE
34
(Addresses, OE# = DON’T CARE)
PRESENCE-DETECT READ CYCLE
34
tPDOFF
PDE#
V
IL
PD1-PD8
V
IL
VALID PRESENCE-DETECT
tPD
DON’T CARE
UNDEFINED
tRP
V
IL
RAS#
tRAS
NOTE 1
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
V
OL
CAS#
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCP
V
IL
tWRP
tWRH
WE#
tWRP
tWRH
NOTE:
1. PD pins must be pulled HIGH at next level of assembly.
t
RP
t
RPC (FPM)
t
RPC (EDO)
t
WRH
t
WRP
30
–
5
6
10
40
0
5
8
12
ns
ns
ns
ns
ns
-5*
-6
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
PD
t
PDOFF
t
RAS
MIN
6
8
7
MAX
MIN
8
10
7
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
2
50
2
60
10,000
10,000
*EDO version only
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
| MTD20N06HDLT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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