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參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| 中文描述： | 2Meg × 72緩沖內(nèi)存插槽（200萬× 72緩沖動態(tài)內(nèi)存模塊（雙列直插存儲器模塊）） |
| 文件頁數(shù)： | 12/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 491K |
| 代理商： | MT9LD272 |
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2, 4 Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs
DM33.p65 – Rev. 2/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
12
2, 4 MEG x 72
BUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
EDO PAGE MODE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 12, 35) (V
DD
= +3.3V ±0.3V)
AC CHARACTERISTICS - EDO PAGE MODE OPTION
PARAMETER
OE# setup prior to RAS#
during HIDDEN REFRESH cycle
EDO-PAGE-MODE READ or WRITE cycle time
PDE# to valid presence-detect data
PDE# inactive to presence-detect inactive
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE cycle time
Access time from RAS#
RAS# to column-address delay time
Row-address hold time
RAS# pulse width
RAS# pulse width (EDO PAGE MODE)
Random READ or WRITE cycle time
RAS# to CAS# delay time
READ command hold time (referenced to CAS#)
READ command setup time
Refresh period (2,048 cycles) (16MB)
Refresh period (4,096 cycles) (32MB)
RAS# precharge time
RAS# to CAS# precharge time
READ command hold time (referenced to RAS#)
RAS# hold time
READ-ZWRITE cycle time
RAS# to WE# delay time
WRITE command to RAS# lead time
Transition time (rise or fall)
WRITE command hold time
WRITE command hold time (referenced to RAS#)
WE# command setup time
Output disable delay from WE#
WRITE command pulse width
WE# pulse to disable at CAS# HIGH
WE# hold time (CBR Refresh)
WE# setup time (CBR Refresh)
-5
-6
SYMBOL
t
ORD
MIN
0
MAX
MIN
0
MAX
UNITS
ns
NOTES
t
PC
t
PD
20
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
32
31
21
13
t
PDOFF
t
PRWC
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WHZ
t
WP
t
WPZ
t
WRH
t
WRP
2
49
2
58
50
60
7
7
50
50
84
9
2
2
10
8
60
60
104
12
2
2
17, 22
22
10,000
125,000
10,000
125,000
16, 24
18, 21
21
32
64
32
64
30
5
0
18
121
69
18
2
13
36
2
2
5
10
6
10
40
5
0
20
145
81
20
2
15
43
2
2
5
10
8
12
18
23
23
21, 28
23
50
50
23
22
21, 28
25
17
20
22
21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
| MTD20N06HDLT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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