- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄296642 > MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1454K |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)當(dāng)前第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)
50
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
SINGLE WRITE – WITHOUT AUTO PRECHARGE 1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX UNITS
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
–
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tDH
1
0.8
1
ns
tDS
1.5
2
ns
tRAS
42
120,000
37
120,000
44 120,000
50
120,000
ns
tRC
60
66
70
ns
tRCD
18
15
20
ns
tRP
18
15
20
ns
tWR
12
14
15
ns
*CAS latency indicated in parentheses.
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX UNITS
NOTE:
1. For this example, the burst length = 1, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. 15ns is required between <DIN m> and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
3. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
4. PRECHARGE command not allowed else tRAS would be violated.
DON’T CARE
DISABLE AUTO PRECHARGE
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRCD
tRC
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
t WR
DIN m
tDH
tDS
COMMAND
tCMH
tCMS
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP4
NOP
tAH
tAS
tAH
tAS
SINGLE BANK
tCKH
tCKS
COLUMN m 3
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
BANK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4JSF6464HY-1G4XX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4LC16M4A7DJ-6S | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| MT58L128L36P1T-5 | 128K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
| MT58L512Y36FT-8.5 | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LCM32B2P | 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:SDR SDRAM MT48LC2M32B2 a?? 512K x 32 x 4 Banks |
| MT48NN | 功能描述:插線(xiàn)板 48POS AUDIO PATCHBAY RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類(lèi)型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類(lèi)型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NNX | 功能描述:插線(xiàn)板 48POS AUDIO PATCHBAY RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類(lèi)型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類(lèi)型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NS | 功能描述:插線(xiàn)板 1 RU PANEL 48 LF JA RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類(lèi)型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類(lèi)型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NSX | 功能描述:插線(xiàn)板 1/4" LF SLDR BAY 1RU, 2X24, NORM STR RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類(lèi)型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類(lèi)型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。