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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 27/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1454K |
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33
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
CAPACITANCE
(Note: 2; notes appear on page 35)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX UNITS NOTES
Input Capacitance: CLK
CI1
2.5
3.5
pF
29
Input Capacitance: All other input-only pins
CI2
2.5
3.8
pF
30
Input/Output Capacitance: DQs
CIO
4.0
6.0
pF
31
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(Notes: 5, 6, 8, 9, 11; notes appear on page 35); VDD, VDDQ = +3.3V ±0.3V
AC CHARACTERISTICS
-6
-7E
-75
-8E
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX UNITS NOTES
Access time from CLK (pos. edge)
CL = 3
tAC(3)
5.5
5.4
6
ns
27
CL = 2
tAC(2)
–
5.4
6
ns
Address hold time
tAH
1
0.8
1
ns
Address setup time
tAS
1.5
2
ns
CLK high-level width
tCH
2.5
3
ns
CLK low-level width
tCL
2.5
3
ns
Clock cycle time
CL = 3
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
23
CL = 2
tCK(2)
–
7.5
10
ns
23
CKE hold time
tCKH
1
0.8
1
ns
CKE setup time
tCKS
1.5
2
ns
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM hold time
tCMH
1
0.8
1
ns
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM setup time
tCMS
1.5
2
ns
Data-in hold time
tDH
1
0.8
1
ns
Data-in setup time
tDS
1.5
2
ns
Data-out high-impedance time
CL = 3
tHZ(3)
5.5
5.4
6
ns
10
CL = 2
tHZ(2)
–
5.4
6
ns
10
Data-out low-impedance time
tLZ
1
ns
Data-out hold time (load)
tOH
2
3
ns
Data-out hold time (no load)
tOHN
1.8
ns
28
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
42
120,000
37
120,000
44
120,000
50
120,000
ns
ACTIVE to ACTIVE command period
tRC
60
66
70
ns
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
18
15
20
ns
Refresh period (4,096 rows)
tREF
64
ms
AUTO REFRESH period
tRFC
60
66
70
ns
PRECHARGEcommandperiod
tRP
18
15
20
ns
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
tRRD
12
14
15
20
ns
Transition time
tT
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
ns
7
WRITE recovery time
tWR
1 CLK +
–
24
6ns
7ns
7.5ns
7ns
12
14
15
ns
25
Exit SELF REFRESH to ACTIVE command
tXSR
70
67
75
80
ns
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4JSF6464HY-1G4XX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4LC16M4A7DJ-6S | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| MT58L128L36P1T-5 | 128K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
| MT58L512Y36FT-8.5 | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LCM32B2P | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SDR SDRAM MT48LC2M32B2 a?? 512K x 32 x 4 Banks |
| MT48NN | 功能描述:插線板 48POS AUDIO PATCHBAY RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NNX | 功能描述:插線板 48POS AUDIO PATCHBAY RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NS | 功能描述:插線板 1 RU PANEL 48 LF JA RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
| MT48NSX | 功能描述:插線板 1/4" LF SLDR BAY 1RU, 2X24, NORM STR RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48 |
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