參數(shù)資料
型號: MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 40/55頁
文件大小: 1454K
45
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
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64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
ALTERNATING BANK READ ACCESSES 1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX MIN MAX UNITS
tAC(3)
5.5
5.4
6
ns
tAC(2)
5.4
6
ns
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tLZ
1
ns
tOH
2
3
ns
tRAS
42
120,000
37
120,000
44 120,000
50
120,000
ns
tRC
60
66
70
ns
tRCD
18
15
20
ns
tRP
18
15
20
ns
tRRD
12
14
15
20
ns
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
DQM /
DQML, DQMH
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
DON’T CARE
UNDEFINED
tOH
DOUT m + 3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m + 2
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
tOH
DOUT b
tAC
READ
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
ACTIVE
ROW
BANK 0
BANK 3
BANK 0
CKE
tCKH
tCKS
COLUMN m 2
COLUMN b 2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
tRP - BANK 0
tRAS - BANK 0
tRCD - BANK 0
CAS Latency - BANK 0
tRCD - BANK 3
CAS Latency - BANK 3
t
RC - BANK 0
RRD
*CAS latency indicated in parentheses.
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX UNITS
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, and the CAS latency = 2.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
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