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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H64M16HQ-3IT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLAINT, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 54/135頁 |
| 文件大小： | 9307K |
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Table 7: Thermal Impedance
Die Revision Package Substrate
θ JA (°C/W)
Airflow = 0m/s
θ JA (°C/W)
Airflow = 1m/s
θ JA (°C/W)
Airflow = 2m/s
θ JB (°C/W) θ JC (°C/W)
60-ball
2-layer
56.7
42.1
36.8
22.7
2.5
4-layer
40.2
32.8
29.9
22.1
84-ball
2-layer
52.9
41.3
35.7
21.6
2.5
4-layer
38.4
32
28.9
21.5
G1
60-ball
2-layer
66.5
49.6
43.1
30.3
5.9
4-layer
49.2
40.4
36.4
30
84-ball
2-layer
60.2
44.5
39.3
26.1
5.6
4-layer
44
35.7
32.8
26.1
Note: 1. Thermal resistance data is based on a number of samples from multiple lots and should
be viewed as a typical number.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Electrical Specifications – Absolute Ratings
PDF: 09005aef821ae8bf
Rev. P 1/09 EN
25
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HQ-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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