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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H64M16HQ-3IT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLAINT, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 51/135頁 |
| 文件大小： | 9307K |
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FBGA Package Capacitance
Table 4: Input Capacitance
Parameter
Symbol Min Max Units Notes
Input capacitance: CK, CK#
Cck
1.0
2.0
pF
Delta input capacitance: CK, CK#
Cdck
–
0.25
pF
Input capacitance: Address balls, bank address balls, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, ODT
Ci
1.0
2.0
pF
Delta input capacitance: Address balls, bank address balls, CS#, RAS#, CAS#, WE#,
CKE, ODT
Cdi
–
0.25
pF
Input/output capacitance: DQ, DQS, DM, NF
Cio
2.5
4.0
pF
Delta input/output capacitance: DQ, DQS, DM, NF
Cdio
–
0.5
pF
Notes: 1. This parameter is sampled. Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V, Vref = Vss, f = 100
MHz, TC = 25°C, Vout(DC) = VddQ/2, Vout (peak-to-peak) = 0.1V. DM input is grouped
with I/O balls, reflecting the fact that they are matched in loading.
2. The capacitance per ball group will not differ by more than this maximum amount for
any given device.
3.
ΔC are not pass/fail parameters; they are targets.
4. Reduce MAX limit by 0.25pF for -25, -25E, and -187E speed devices.
5. Reduce MAX limit by 0.5pF for -3, -3E, -25, -25E, and -187E speed devices.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Packaging
PDF: 09005aef821ae8bf
Rev. P 1/09 EN
22
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HQ-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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