參數(shù)資料
型號(hào)： MT47H64M16HQ-3IT:G
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
封裝： ROHS COMPLAINT, PLASTIC, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 42/135頁(yè)
文件大?。?/td> 9307K
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Figure 5: 64 Meg x 16 Functional Block Diagram
Bank 5
Bank 6
Bank 7
Bank 4
Bank 7
Bank 4
Bank 5
Bank 6
13
Row-
address
MUX
Control
logic
Column-
address
counter/
latch
Mode
registers
10
A0–A12,
BA0–BA2
13
Address
register
256
(x64)
16,384
Column
decoder
Bank 0
Memory array
(8,192 x 256 x 64)
Bank 0
row-
address
latch
and
decoder
8,192
Sense amplifier
Bank
control
logic
16
Bank 1
Bank 2
Bank 3
13
8
3
2
Refresh
counter
16
4
RCVRS
64
CK out
DATA
UDQS, UDQS#
LDQS, LDQS#
CK, CK#
COL0, COL1
CK in
DRVRS
DLL
MUX
DQS
generator
16
UDQS, UDQS#
LDQS, LDQS#
4
Read
latch
WRITE
FIFO
and
drivers
Data
16
64
2
Mask
2
8
16
2
Bank 1
Bank 2
Bank 3
Input
registers
UDM, LDM
DQ0–DQ15
Vdd Q
R1
R2
sw1 sw2
Vss Q
sw1 sw2
ODT control
RAS#
CAS#
CK
CS#
WE#
CK#
Command
decode
CKE
ODT
I/O gating
DM mask logic
16
sw3
R3
sw3
R1
R2
sw1 sw2
R3
sw3
R1
R2
sw1 sw2
R3
sw3
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Functional Block Diagrams
PDF: 09005aef821ae8bf
Rev. P 1/09 EN
14
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PDF描述
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參數(shù)描述
MT47H64M16HQ-3L 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM
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