- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299522 > MT47H64M16HQ-3IT:G 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H64M16HQ-3IT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLAINT, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 4/135頁 |
| 文件大?。?/td> | 9307K |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁
Figure 51: Bank Read – Without Auto Precharge
CK
CK#
CKE
A10
Bank address
tCK
tCH
tCL
RA
tRCD
tRAS3
tRC
tRP
CL = 3
DM
T0
T1
T3
T4
T5
T7n
T8n
T6
T7
T8
DQ8
DQS, DQS#
Case 1: tAC (MIN) and tDQSCK (MIN)
Case 2: tAC (MAX) and tDQSCK (MAX)
DQ8
DQS, DQS#
tRPRE
tRPST
tDQSCK (MIN)
tLZ (MIN)
tLZ (MAX)
tAC (MIN)
tLZ (MIN)
DO
n
tHZ (MAX)
tAC (MAX)
tLZ (MIN)
DO
n
NOP1
Command
ACT
RA
Col n
PRE3
Bank x
RA
Bank x
Bank x6
7
ACT
Bank x
NOP1
tHZ (MIN)
One bank
All banks
Don’t Care
Transitioning Data
READ2
Address
5
tRTP4
tRPST
tDQSCK (MAX)
T9
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4 and AL = 0 in the case shown.
3. The PRECHARGE command can only be applied at T6 if tRAS (MIN) is met.
4. READ-to-PRECHARGE = AL + BL/2 - 2CK + MAX (tRTP/tCK or 2CK).
5. Disable auto precharge.
6.
“Don’t Care” if A10 is HIGH at T5.
7. I/O balls, when entering or exiting High-Z, are not referenced to a specific voltage level,
but to when the device begins to drive or no longer drives, respectively.
8. DO n = data-out from column n; subsequent elements are applied in the programmed
order.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
READ
PDF: 09005aef821ae8bf
Rev. P 1/09 EN
101
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HQ-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。