- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299522 > MT47H64M16HQ-3IT:G 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H64M16HQ-3IT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLAINT, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/135頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 9307K |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)當(dāng)前第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)
Figure 75: PRECHARGE Command-to-Power-Down Entry
CK
CK#
Command
Don’t Care
T0
T1
Valid
PRE
T2
NOP
T3
tCKE (MIN)
CKE
Power-down1
entry
1 x tCK
Address
A10
Valid
All banks
vs
Single bank
Note: 1. The earliest precharge power-down entry may occur is at T2, which is 1 × tCK after the
PRECHARGE command. Precharge power-down entry occurs prior to tRP (MIN) being sat-
isfied.
Figure 76: LOAD MODE Command-to-Power-Down Entry
CK
CK#
Command
Don’t Care
T0
T1
Valid
LM
T2
NOP
T3
T4
tCKE (MIN)
CKE
Power-down3
entry
tMRD
Address
Valid1
tRP2
NOP
Notes: 1. Valid address for LM command includes MR, EMR, EMR(2), and EMR(3) registers.
2. All banks must be in the precharged state and tRP met prior to issuing LM command.
3. The earliest precharge power-down entry is at T3, which is after tMRD is satisfied.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Power-Down Mode
PDF: 09005aef821ae8bf
Rev. P 1/09 EN
125
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HQ-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。