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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQF |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK S-MIL-C-39014 |
| 中文描述： | 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 49/83頁 |
| 文件大小： | 1363K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQF |
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M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
Figure 15. Clock input AC Waveform
Table 24. Synchronous Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. For other timings please refer to
Table 23., Asynchronous Read AC Characteristics
.
Symbol
Alt
Parameter
M30L0R8000T0/B
Unit
85
S
t
AVKH
t
AVCLKH
Address Valid to Clock High
Min
7
ns
t
ELKH
t
ELCLKH
Chip Enable Low to Clock High
Min
7
ns
t
ELTV
Chip Enable Low to Wait Valid
Max
14
ns
t
EHEL
Chip Enable Pulse Width (subsequent
synchronous reads)
Min
14
ns
t
EHTZ
Chip Enable High to Wait Hi-Z
Max
14
ns
t
KHAX
t
CLKHAX
Clock High to Address Transition
Min
7
ns
t
KHQV
t
KHTV
t
CLKHQV
Clock High to Output Valid
Clock High to WAIT Valid
Max
14
ns
t
KHQX
t
KHTX
t
CLKHQX
Clock High to Output Transition
Clock High to WAIT Transition
Min
3
ns
t
LLKH
t
ADVLCLKH
Latch Enable Low to Clock High
Min
7
ns
C
t
KHKH
t
CLK
Clock Period (f=54MHz)
Min
18.5
ns
t
KHKL
t
KLKH
Clock High to Clock Low
Clock Low to Clock High
Min
4.5
ns
t
f
t
r
Clock Fall or Rise Time
Max
3
ns
AI06981
tKHKH
tf
tr
tKHKL
tKLKH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQT | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQ | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30LW128D | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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