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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQF |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK S-MIL-C-39014 |
| 中文描述： | 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 31/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1363K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQF |
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M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
Figure 6. X-Latency and Data Output Configuration Example
Note: 1. The settings shown are X-latency = 4, Data Output held for one clock cycle.
Ai11050
A23-A0
VALID ADDRESS
K
L
DQ15-DQ0
VALID DATA
X-latency
VALID DATA
tK
tQVK_CPU
tKQV
1st cycle
2nd cycle
3rd cycle
4th cycle
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQT | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQ | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30LW128D | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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