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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQF |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK S-MIL-C-39014 |
| 中文描述： | 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 45/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1363K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQF |
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45/83
M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
Table 23. Asynchronous Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
M30L0R8000T0/B
Unit
85
R
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
85
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid (Random)
Max
85
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output Valid (Page)
Max
25
ns
t
AXQX (1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
ns
t
ELTV
Chip Enable Low to Wait Valid
Max
14
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
85
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
ns
t
EHTZ
Chip Enable High to Wait Hi-Z
Max
14
ns
t
EHQX (1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
2
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
14
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
20
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
ns
t
GLTV
Output Enable Low to Wait Valid
Max
14
ns
t
GHQX (1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
2
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
14
ns
t
GHTZ
Output Enable High to Wait Hi-Z
Max
14
ns
L
t
AVLH
t
AVADVH
Address Valid to Latch Enable High
Min
7
ns
t
ELLH
t
ELADVH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
t
LHAX
t
ADVHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
7
ns
t
LLLH
t
ADVLADVH
Latch Enable Pulse Width
Min
7
ns
t
LLQV
t
ADVLQV
Latch Enable Low to Output Valid (Random)
Max
85
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQT | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQ | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30LW128D | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M30L0R8000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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