參數(shù)資料
型號： M29W640GB70ZA6F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 44/90頁
文件大?。?/td> 849K
代理商： M29W640GB70ZA6F
M29W640GH, M29W640GL, M29W640GT, M29W640GB
DC and ac parameters
49/90
Table 18.
Read ac characteristics
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W640GT,
M29W640GB,
M29W640GH,
M29W640GL
Unit
60
70
90
tAVAX
tRC
Address Valid to Next Address Valid
E = VIL,
G = VIL
Min
60
70
90
ns
tAVQV
tACC
Address Valid to Output Valid
E = VIL,
G = VIL
Max
60
70
90
ns
tAVQV1
tPAGE Address Valid to Output Valid (Page)
E = VIL,
G = VIL
Max
25
30
ns
tELQX
(1)
tLZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = VIL
Min
000
ns
tELQV
tCE
Chip Enable Low to Output Valid
G = VIL
Max
60
70
90
ns
tGLQX
tOLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = VIL
Min
000
ns
tGLQV
tOE
Output Enable Low to Output Valid
E = VIL
Max
25
30
ns
tEHQZ
tHZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = VIL
Max
25
30
ns
tGHQZ
tEHQZ
tDF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = VIL
Max
25
30
ns
tEHQX
tGHQX
tAXQX
tOH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
000
ns
tELBL
tELBH
tELFL
tELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
ns
tBLQZ
tFLQZ BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
ns
tBHQV
tFHQV BYTE High to Output Valid
Max
25
30
ns
1.
Sampled only, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2Y51264TU88A2G-37B 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
M30-1201100 22 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP
M30-6000206R 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT
M30-6000306R 3 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT
M30-6000406R 4 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT
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參數(shù)描述
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