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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128168A_06 |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 37/43頁 |
| 文件大小： | 804K |
| 代理商： | M12L128168A_06 |
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ESMT
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
37/43
Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
*Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.
2. Burst stop is valid at every burst length.
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
RAa
CAa
CAb
RAa
QAa0 QAa1
QAb1
QAb0
QAb2
*No t e 1
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Burst Stop
Read
(A-Bank)
:Don't Care
HIGH
CL=2
CL=3
QAa2 QAa3 QAa4
QAb3 QAb4 QAb5
QAa0 QAa1
QAb1
QAb0
QAb2
QAa2 QAa3 QAa4
QAb3 QAb4 QAb5
1
2
Precharge
(A-Bank)
1
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A-5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128168A2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
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| M12L128168A-5BG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
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| M12L128168A-5T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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