參數(shù)資料
型號: M12L128168A_06
廠商: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述: 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述: 200萬× 16位× 4個銀行同步DRAM
文件頁數(shù): 18/43頁
文件大?。?/td> 804K
代理商: M12L128168A_06
ESMT
4.
CAS
Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
18/43
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
* Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2 ,BL= 4
R D
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PDF描述
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