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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128168A_06 |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 804K |
| 代理商： | M12L128168A_06 |
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ESMT
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
19/43
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt
but only another bank precharge of four banks operation.
CLK
i ) C M D
i i ) C M D
i i i ) C M D
i v) C M D
DQ M
DQ M
DQ M
DQ M
DQ
DQ
DQ
DQ
D1
D3
D1
D0
D2
D3
D0
D2
W R
(b) CL=3,BL= 4
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
D1
D3
D0
D2
Q0
*Not e 1
v) C M D
DQ M
DQ
R D
W R
H i - Z
R D
C LK
CMD
DQM
DQ
D1
W R
* N ot e 3
*
M a s k e d
b y
D Q M
D3
t
RDL(m in)
P R E
N o t e 2
D0
D2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A-5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128168A2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
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| M12L128168A-5BG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
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| M12L128168A-5T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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