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參數(shù)資料
| 型號： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 9/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
17
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1,2,3)
-75
-8
Symbol Parameter
Min. Max.
Min.
Max.
Units
tck3
ClockCycleTime
CAS
Latency=3
7.5 —
8 —
ns
tck2
CAS
Latency=2
10 —
ns
tac3
AccessTimeFromCLK
CAS
Latency=3
— 5.4
— 6
ns
tac2
CAS
Latency=2
— 8
ns
tchi
CLKHIGHLevelWidth
2.5 —
ns
tcl
CLKLOWLevelWidth
2.5 —
ns
toh3
OutputDataHoldTime
CAS
Latency=3
2.7 —
ns
toh2
CAS
Latency=2
2.7 —
ns
tlz
OutputLOWImpedanceTime
0 —
ns
thz
OutputHIGHImpedanceTime
2.7 5.4
2.7 6
ns
tds
InputDataSetupTime(2)
1.5 —
ns
tdh
InputDataHoldTime(2)
1.0 —
ns
tas
AddressSetupTime(2)
1.5 —
ns
tah
AddressHoldTime(2)
1.0 —
ns
tcks
CKESetupTime(2)
1.5 —
ns
tckh
CKEHoldTime(2)
1.0 —
ns
tcs
CommandSetupTime(CS, RAS, CAS, WE,DQM)(2)
1.5 —
ns
tch
CommandHoldTime(CS, RAS, CAS, WE,DQM)(2)
1.0 —
ns
trc
CommandPeriod(REFtoREF/ACTtoACT)
67.5 —
72 —
ns
tras
CommandPeriod(ACTtoPRE)
45 100K
48 100K
ns
trp
CommandPeriod(PREtoACT)
20 —
ns
trcd
ActiveCommandToRead/WriteCommandDelayTime
20 —
ns
trrd
CommandPeriod(ACT[0]toACT[1])
15 —
16 —
ns
tdpl
InputDataToPrecharge
15 —
16 —
ns
CommandDelaytime
tdal
InputDataToActive/Refresh
37.5
—
40 —
ns
CommandDelaytime(DuringAuto-Precharge)
tmrd
ModeRegisterProgramTime
15 —
16 —
ns
tdde
PowerDownExitSetupTime
7.5 —
8 —
ns
txsr
exitSelf-RefreshtoActiveTime(4)
80 —
ns
tt
TransitionTime
0.3 1.2
ns
tref
RefreshCycleTime(8192)
Ta
≤ 70oCCom,Ind,A1,A2
— 64
ms
Ta
≤ 85oCInd,A1,A2
— 64
ms
Ta
> 85oCA2
— 16
ms
Notes:
1. Thepower-onsequencemustbeexecutedbeforestartingmemoryoperation.
2. measured with tt =1ns.Ifclockrisingtimeislongerthan1ns,(tr/2-0.5)nsshouldbeaddedtotheparameter.
3.Thereferencelevelis0.9Vwhenmeasuringinputsignaltiming.RiseandfalltimesaremeasuredbetweenVih(min.)andVil
(max).
4.Self-RefreshModeisnotsupportedforA2gradewithTa>85oC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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