參數(shù)資料
型號(hào)： IS45VS16160D-8BLA2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 47/61頁(yè)
文件大小： 939K
代理商： IS45VS16160D-8BLA2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
51
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
SINGLE READ WITH AUTO PRECHARGE
DON'T CARE
UNDEFINED
CLK
CKE
COMMAND
DQM/DQML
DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCMS tCMH
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
NOP
tAS tAH
ROW
BANK
COLUMN m(2)
tCH
tCL
tCK
tCMS tCMH
tCKS tCKH
BANK
tRCD
tRAS
tRC
CAS Latency
tAC
tHZ
tOH
DOUT m
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
tRP
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
BANK
Notes:
1) CAS latency = 2, Burst Length = 1
2) x16: A9, A11, and A12 = "Don't Care"
x8: A11 and A12 = "Don't Care"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32800B-5BL 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
IS61C512-25TI x8 SRAM
IS61C512-35J x8 SRAM
IS61C512-35JI x8 SRAM
IS61C512-35K x8 SRAM
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參數(shù)描述
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IS46DR16128-3DBLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS46DR16128-3DBLA1-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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