參數資料
型號： IS45VS16160D-8BLA2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54
文件頁數： 52/61頁
文件大?。?/td> 939K
代理商： IS45VS16160D-8BLA2
56
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
SINGLE WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/DQML
DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCMS tCMH
tAS tAH
tDS tDH
tRCD
tRAS
tRC
tCH
tCL
tCK
tCMS tCMH
tCKS tCKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
NOP
tDPL(3)
tRP
ROW
BANK
DIN m
COLUMN m(2)
ROW
BANK
ALL BANKS
SINGLE BANK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DISABLE AUTO PRECHARGE
Notes:
1) Burst Length = 1
2) x16: A9, A11, and A12 = "Don't Care"
x8: A11 and A12 = "Don't Care"
3) tras must not be violated.
相關PDF資料
PDF描述
IS43R32800B-5BL 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
IS61C512-25TI x8 SRAM
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IS61C512-35JI x8 SRAM
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參數描述
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IS46DR16128-3DBLA1-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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