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參數(shù)資料
| 型號： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 8/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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16
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1 (RecommendedOperationConditionsunlessotherwisenoted.)
Symbol Parameter
Test Condition
-75
-8
Unit
idd1 (1)
OperatingCurrent
Onebankactive,CL=3,BL=1,
100
95
mA
tclk=tclk(min),trc=trc(min)
idd2p
PrechargeStandbyCurrent CKE≤ Vil (max),tck=15ns
1.2
mA
(InPower-DownMode)
idd2ps
PrechargeStandbyCurrent CKE≤ Vil (max),CLK≤ Vil (max)
1.2
mA
(InPower-DownMode)
idd2n (2)
PrechargeStandbyCurrent CS ≥ Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
25
mA
(InNonPower-DownMode)
tck=15ns
Idd2ns
PrechargeStandbyCurrent CS ≥ Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
15
mA
(InNonPower-DownMode)
or CKE≤ Vil (max),Allinputsstable
idd3p
ActiveStandbyCurrent
CKE≤ Vil (max),tck=15ns
3
mA
(Power-DownMode)
idd3ps
ActiveStandbyCurrent
CKE≤ Vil (max),CLK≤ Vil (max)
3
mA
(Power-DownMode)
idd3n (2)
Active Standby Current
CS ≥
Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
35
mA
(InNonPower-DownMode)
tck=15ns
Idd3ns
Active Standby Current
CS ≥
Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
25
mA
(InNonPower-DownMode)
or CKE≤ Vil (max),Allinputsstable
idd4
OperatingCurrent
Allbanksactive,BL=4,CL=3,
130
125
mA
tck=tck(min)
idd5
Auto-RefreshCurrent
trc=trc(min),tclk=tclk(min)
180
170
mA
idd6
Self-RefreshCurrent
CKE≤ 0.2V
3
mA
Notes:
1. Idd (max)isspecifiedattheoutputopencondition.
2. Inputsignalsarechangedonetimeduring30ns.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 2 (RecommendedOperationConditionsunlessotherwisenoted.)
Symbol Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
iil
InputLeakageCurrent
0V≤Vin≤Vcc,withpinsotherthan
-1
1
A
thetestedpinat0V
iol
OutputLeakageCurrent
Outputisdisabled,0V≤Vout≤Vcc,
-1.5
1.5
A
Voh
OutputHighVoltageLevel
Ioh=-100
mA
0.9xVddq
—
V
Vol
OutputLowVoltageLevel
Iol=100
mA
—
0.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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