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參數(shù)資料
| 型號： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 45/61頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com5
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
PIN CONFIGURATION
54-ball TF-BGA for x16 (TopView)(8.00mmx13.00mmBody,0.8mmBallPitch)
packagecode:B
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
DQMH
A12
A8
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
DQML
RAS
BA1
A1
A2
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
WE
CS
A10
VDD
PIN DESCRIPTIONS
A0-A12
RowAddressInput
A0-A8
ColumnAddressInput
BA0,BA1
BankSelectAddress
DQ0toDQ15 DataI/O
CLK
SystemClockInput
CKE
ClockEnable
CS
Chip Select
RAS
RowAddressStrobeCommand
CAS
Column Address Strobe Command
WE
WriteEnable
DQML
x16LowerByteInput/OutputMask
DQMH
x16UpperByteInput/OutputMask
Vdd
Power
Vss
Ground
Vddq
PowerSupplyforI/OPin
Vssq
GroundforI/OPin
NC
NoConnection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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