參數(shù)資料
型號： IS45VS16160D-8BLA2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54
文件頁數(shù)： 28/61頁
文件大?。?/td> 939K
代理商： IS45VS16160D-8BLA2
34
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
ALTERNATING BANK READ ACCESSES
BANK 0
BANK 3
BANK 0
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCMS tCMH
tAS tAH
tRCD - BANK 0
CAS Latency - BANK 0
tRCD - BANK 0
tRAS - BANK 0
tRC - BANK 0
tCH
tCL
tCK
tCMS tCMH
tCKS tCKH
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
ROW
BANK 0
ROW
tRRD
tRCD - BANK 3
tRP - BANK 0
COLUMN m(2)
ROW
COLUMN b(2)
ROW
ENABLE AUTO PRECHARGE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
tAC
tOH
DOUT m
DOUT m+1
DOUT m+2
DOUT m+3
DOUT b
tAC
tLZ
CAS Latency - BANK 3
Notes:
1) CAS latency = 2, Burst Length = 4
2) x16: A9, A11, and A12 = "Don't Care"
x8: A11 and A12 = "Don't Care"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32800B-5BL 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
IS61C512-25TI x8 SRAM
IS61C512-35J x8 SRAM
IS61C512-35JI x8 SRAM
IS61C512-35K x8 SRAM
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參數(shù)描述
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IS46DR16128-3DBLA1 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS46DR16128-3DBLA1-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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