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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29V102414T-50H |
| 英文描述： | Flash Application Design Guidelines Others |
| 中文描述： | Flash應(yīng)用程序設(shè)計(jì)指南其他 |
| 文件頁數(shù)： | 25/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HN29V102414T-50H |
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HN29V102414 Series
25
Timing Waveforms
Power on and off Sequence
t
VRS
t
RP
t
CES
t
BSY
t
CEH
t
CESR
t
RP
t
BSY
t
CES
t
CEH
t
VRH
t
DFP
t
CWRH
t
CESR
t
CWRS
V
CC
CE
WE
RES
RDY
/
Busy
*
1
*
2
*
1
High-Z
Ready
Notes: 1.
RES
must be kept at the V
ILR
level referred to DC characteristics at the rising and falling edges of V
CC
to guarantee data stored in the chip.
2.
RES
must be kept at the V
IHR
level referred to DC characteristics while I/O7 outputs the V
OL
level in the
status data polling and RDY/
Busy
outputs the V
OL
level.
3. : Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-35 | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V51211T-50H | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-30 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:128M X 8-bit AG-AND Flash Memory |
| HN29V1G91T-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V25611A | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8 50NS 48TSOP-I - Trays |
| HN29V25611AT-50H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
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