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參數(shù)資料
| 型號： | HN29V102414T-50H |
| 英文描述： | Flash Application Design Guidelines Others |
| 中文描述： | Flash應(yīng)用程序設(shè)計(jì)指南其他 |
| 文件頁數(shù)： | 18/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HN29V102414T-50H |
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HN29V102414 Series
18
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Notes
V
CC
voltage
V
SS
voltage
All input and output voltages
V
CC
V
SS
Vin, Vout
–0.6 to +4.6
V
1
0
V
–0.6 to +4.6
V
1, 2
Operating temperature range
Topr
0 to +70
C
Storage temperature range
Tstg
–65 to +125
C
3
Storage temperature under bias
Notes: 1. Relative to V
SS
.
2. Vin, Vout = –2.0 V for pulse width
≤
20 ns.
3. Device storage temperature range before programming.
Tbias
–10 to +80
C
Capacitance
(Ta = 25C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Output capacitance
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-35 | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V51211T-50H | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-30 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:128M X 8-bit AG-AND Flash Memory |
| HN29V1G91T-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V25611A | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8 50NS 48TSOP-I - Trays |
| HN29V25611AT-50H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
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