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參數(shù)資料
| 型號： | HN29V102414T-50H |
| 英文描述： | Flash Application Design Guidelines Others |
| 中文描述： | Flash應(yīng)用程序設(shè)計指南其他 |
| 文件頁數(shù)： | 24/46頁 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HN29V102414T-50H |
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HN29V102414 Series
24
Parameter
CE
to output delay
OE
to output delay
OE
high to output float
RES
to
CE
setup time
CDE
setup time for
WE
CDE
hold time for
WE
CDE
setup time for SC
CDE
hold time for SC
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
t
CE
t
OE
t
DF
t
RP
t
CDS
t
CDH
t
CDSS
t
CDSH
t
RDY
t
CDOH
t
CDAC
t
CDF
t
COH
t
OES
t
OEL
t
SAC
t
SH
t
RS
t
RBSY
—
—
120
ns
—
—
60
ns
—
—
40
ns
1
0.3
—
—
ms
0
—
—
ns
20
—
—
ns
1.5
—
—
μs
30
—
—
ns
Next cycle ready time
CDE
to
OE
hold time
CDE
to output delay
CDE
to output invalid
CE
hold time for
OE
OE
setup time for SC
OE
low to output low-Z
0
—
—
ns
50
—
—
ns
—
—
50
ns
—
—
100
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
40
ns
SC to output delay
—
—
50
ns
SC to output hold
RDY/
Busy
setup for SC
15
—
—
ns
200
—
—
ns
Busy time on read mode
Note:
1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
—
45
—
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-35 | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V51211T-50H | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-30 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:128M X 8-bit AG-AND Flash Memory |
| HN29V1G91T-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V25611A | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8 50NS 48TSOP-I - Trays |
| HN29V25611AT-50H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
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