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參數(shù)資料
| 型號： | HN29V102414T-50H |
| 英文描述： | Flash Application Design Guidelines Others |
| 中文描述： | Flash應(yīng)用程序設(shè)計指南其他 |
| 文件頁數(shù)： | 20/46頁 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HN29V102414T-50H |
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HN29V102414 Series
20
AC Characteristics
(V
CC
= 2.7 V to 3.6 V, Ta = 0 to +70C)
Test Conditions
Input pulse levels: 0.4 V/2.4 V
Input pulse levels for
RES
: 0.2 V/V
CC
– 0.2 V
Input rise and fall time:
≤
5 ns
Output load: 1 TTL gate + 100 pF (Including scope and jig.)
Reference levels for measuring timing: 0.8 V, 1.8 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-35 | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V51211T-50H | Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V1G91T-30 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:128M X 8-bit AG-AND Flash Memory |
| HN29V1G91T-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29V25611A | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29V25611AT-50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8 50NS 48TSOP-I - Trays |
| HN29V25611AT-50H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
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