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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52E169EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 60/64頁 |
| 文件大小： | 2741K |
| 代理商： | HB52E169EN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當(dāng)前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
60
Self Refresh Cycle
Clock Suspend Mode
$
High-Z
%
-
.
6
CK
CKE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
Din
Dout
$
,
1
2
4
5
:
;
=
>
B
C
F
J
K
.
6
7
@
H
.
7
8
@
H
)
W
2
:
;
:
B
C
L
:
B
C
J
K
H
P
'
"
(
#
5
=
>
$
,
5
Precharge command
If needed
Self refresh entry
command
Auto
refresh
Self refresh exit
ignore command
or No operation
F
Bank0
Read
Active
suspend start
suspend end
CKE
G
Bank0
Active clock
Active clock
O
P
'
(
0
1
7
@
H
I
(
N
Reastart
O
Read suspend
Read
Active
!
H
P
N
O
CKE Low
A10=1
RC
t
RP
t
#
,
#$
S
,
4
5
=
>
E
F
M
N
#$
RE
,
4
5
<
=
E
F
M
N
Self refresh cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 3
= V or V
Next
5
>
F
G
N
O
5
=
>
F
N
O
4
5
=
>
E
F
N
RC
t
Next
l
SREX
Self refresh entry
<
D
E
M
N
'
(
/
0
9
L
M
<
D
E
L
M
!
*
+
3
+
3
4
<
=
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
&
P
B
K
"
#
+
4
!
"
)
*
2
3
#
+
,
4
R:a
C:a
R:b
a
a+1 a+2
a+3
b
b+1 b+2
!
"
+
H
R:a
C:a R:b
C:b
GH
PH
a
a+1 a+2
b
b+1 b+2 b+3
&
CE
W
BA
"
#
+
H
M
C:b
B
C
K
L
Bank0
Active clock
Active clock
Bank3
Bank0
Precharge
Earliest Bank3
Precharge
Bank0
Writstart
Write suspend
end
Bank3
Write
Bank0
Precharge
Earliest Bank3
Precharge
C
L
L
C
K
L
b+3
+
3
4
<
*
+
3
<
K
;
<
D
L
M
2
;
<
C
D
L
2
:
;
C
D
L
)
2
:
;
B
C
L
.
7
8
@
H
%
-
.
6
7
G%
.
6
7
H
7
8
@
H
I
'
/
0
8
&
'
/
8
%
&
/
.
6
7
@
H
&
'
/
%
&
CKE
RE
S
CE
Address
DQMB
CK
BA
Address
DQMB
Dout
Din
a+3
High-Z
High-Z
+
,
4
5
=
>
(
)
1
2
9
:
A
B
K
&
.
/
6
7
@
t
CES
t
CEH
t
CES
Read cycle
RE
-
CE
delay = 2
CE
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RE
-
CE
delay = 2
CE
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
7
8
@
H
I
Dout
Din
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E88EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E169EN-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E328EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E328EM-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E329EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E329EM-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
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