- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370429 > HB52E169EN (Hitachi,Ltd.) 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52E169EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 39/64頁 |
| 文件大小： | 2741K |
| 代理商： | HB52E169EN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁當(dāng)前第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
39
Burst Read (Burst Length = 4)
Write with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing
a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each write operation.
The command executed for the same bank after the execution of this command must be the bank active
(ACTV) command. In addition, an interval of l
APW
is required between the final valid data input and input
of next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
CK
lAPR
lRAS
lAPR
CL=2 Command
CL=3 Command
Dout
Dout
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
And an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command and internal precharge " ".
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
lRAS
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
CK
Command
Din
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in0
in1
in2
in3
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E88EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E169EN-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E328EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E328EM-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E329EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E329EM-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。