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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4FOQ |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | AS4C4M4FOQ |
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Symbol
t
CPA
t
RASP
t
PC
t
CP
t
PCM
t
CRW
Parameter
Access time from
CAS
precharge
-50
-60
Unit
Notes
13
Min
–
50
30
10
80
12
Max
28
100K
–
–
–
–
Min
–
60
35
10
85
15
Max
35
100K
–
–
–
–
RAS
pulse width
Read-write cycle time
CAS
precharge time (fast page)
Fast page mode RMW cycle
Page mode
CAS
pulse width (RMW)
Symbol
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
OFF
Parameter
CAS to output in Low Z
RAS hold time referenced to OE
OE access time
OE to data delay
Output buffer turnoff delay from OE
OE command hold time
OE to output in Low Z
Output buffer turn-off time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
8
Min
0
8
–
13
0
10
0
0
Max
–
–
13
–
13
–
–
13
Min
0
10
–
15
0
10
0
0
Max
–
–
15
–
15
–
–
15
8
8,10
Std
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RASS
RAS pulse width
(CBR self refresh)
100
–
100
–
μs
t
RPS
RAS precharge time
(CBR self refresh)
90
–
105
–
ns
t
CHS
CAS
hold time
(CBR self refresh)
8
–
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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