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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4FOQ |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | AS4C4M4FOQ |
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7
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RSHUDWLQJ
#
FRQGLWLRQV
Parameter
V
IL
min -3.0V for pulse widths less than 5 ns. Recommended operating conditions apply throughout this document unlesss otherwise specified.
Symbol
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
Min
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
Nominal
5.0
0.0
–
–
Max
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
Unit
V
V
V
V
°C
Supply voltage
Input voltage
Ambient operating temperature
RAS clock
generator
R
c
4,194,304 × 4
Array
(16,777,216)
Sense amp
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
V
CC
GND
A
R
Column decoder
Substrate bias
generator
Data
I/O
buffers
OE
RAS
CAS
WE clock
generator
WE
I/O0 to I/O3
CAS clock
generator
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AS4LC4M16S0 | 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
| AS4LC4M16S0-75TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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