參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4FOQ
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁面模式））
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 364K
代理商： AS4C4M4FOQ
$6
7
&
7
0
7
)24
$6
7
&
7
0
7
)
4
4
#
$GYDQFH
LQIRUPDWLRQ
#
#
$
','
#440633370
$
1#4257233
#
$//,$1&(
#
6(0,&21'8&725
46
+LGGHQ
#
UHIUHVK
#
ZDYHIRUP
#+
UHDG
,
+LGGHQ
#
UHIUHVK
#
ZDYHIRUP
#+
ZULWH
,
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RCD
t
RSH
t
CRP
t
CHR
t
ASR
t
RAD
t
ASC
Col address
t
RRH
t
OEA
t
CLZ
t
CAC
t
OEZ
Row
Data out
RAS
CAS
Address
WE
OE
DQ
t
AR
t
RAH
t
RAC
t
AA
t
RCS
t
CAH
t
OFF
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RCD
t
RSH
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
CAH
t
WCS
t
WCH
t
DS
t
DH
Data in
Col address
Row address
RAS
CAS
Address
WE
DQ
OE
t
ASC
t
RWL
t
WCR
t
WP
t
DHR
t
RAL
t
CHR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M32MD3-15BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR3 存儲(chǔ)容量:16Gb（512M x 32） 時(shí)鐘頻率:667MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:178-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:178-FBGA（11.5x11） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:128
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*