參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4FOQ
廠(chǎng)商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4FOQ
)24
$6
7
&
7
0
7
$6
7
&
7
0
7
)
4
4
$GYDQFH
#
LQIRUPDWLRQ
7
#
$//,$1&(
#
6(0,&21'8&725
','
#440633370
$
1#4257233
$EVROXWH
#
PD[LPXP
#
UDWLQJV
Parameter
Input voltage
Input voltage (DQs)
Power supply voltage
Storage temperature (plastic)
Soldering temperature × time
Power dissipation
Short circuit output current
'&
#
HOHFWULFDO
#
FKDUDFWHULVWLFV
Symbol
V
in
V
DQ
V
CC
T
STG
T
SOLDER
P
D
I
out
Min
-1.0
-1.0
-1.0
-55
–
–
–
Max
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260 × 10
1
50
Unit
V
V
V
°C
o
C × sec
W
mA
Parameter
Symbol Test conditions
0V
≤
V
in
≤
+5.5V,
Pins not under test = 0V
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Input leakage current
I
IL
-5
+5
-5
+5
μA
Output leakage
current
Operating power
supply current
TTL standby power
supply current
Average power supply
current, RAS refresh
mode or CBR
Fast page mode
average power supply
current
CMOS standby power
supply current
I
OL
D
OUT
disabled, 0V
≤
V
out
≤
+5.5V
-5
+5
-5
+5
μA
I
CC1
RAS, CAS Address cycling; t
RC
=min
–
110
–
100
mA
1,2
I
CC2
RAS = CAS
≥
V
IH
–
2.0
–
2.0
mA
I
CC3
RAS cycling, CAS
≥
V
IH
,
t
RC
= min of RAS low after XCAS
low.
–
110
–
100
mA
1
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS,
address cycling: t
HPC
= min
–
90
–
80
mA
1, 2
I
CC5
RAS = CAS = V
CC
- 0.2V
–
1.0
–
1.0
mA
Output voltage
V
OH
V
OL
I
OUT
= -5.0 mA
I
OUT
= 4.2 mA
2.4
–
–
2.4
–
–
V
V
0.4
0.4
CAS before RAS
refresh current
I
CC6
RAS, CAS cycling, t
RC
= min
–
110
–
100
mA
Self refresh current
I
CC7
RAS = UCAS = LCAS
≤
0.2V,
WE = OE
≥
V
CC
- 0.2V
all other inputs at 0.2V or
V
CC
- 0.2V
–
0.6
–
0.6
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線(xiàn)))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線(xiàn)）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M32MD3-15BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR3 存儲(chǔ)容量:16Gb（512M x 32） 時(shí)鐘頻率:667MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:178-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:178-FBGA（11.5x11） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:128
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