參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4FOQ
廠(chǎng)商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4FOQ
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15
Parameter
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D
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5RRP
#
WHPSHUDWXUH
Test conditions
Max
V
in
= 0V
5
V
in
= 0V
7
V
in
= V
out
= 0V
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RUGHULQJ
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LQIRUPDWLRQ
Package \ RAS access time
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RUGHULQJ
#
LQIRUPDWLRQ
Package \ RAS access time
7
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7
0
7
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#
IDPLO\
#
SDUW
#
QXPEHULQJ
#
V\VWHP
AS4
C
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
DQ
Signals
A0 to A9
RAS, UCAS, LCAS, WE, OE
DQ0 to DQ15
Unit
pF
pF
pF
Input capacitance
DQ capacitance
50 ns
60 ns
Plastic SOJ, 300 mil, 24/26-pin
5V
4C4M4FOQ-50JC
4C4M4FOQ-60JC
Plastic TSOP 300 mil, 24/26-pin
3.3V
4C4M4FOQ-50TC
4C4M4FOQ-60TC
50 ns
60 ns
Plastic SOJ, 300 mil, 24/26-pin
5V
AS4C4M4F1Q-50JC
AS4C4M4F1Q-60JC
Plastic TSOP 300 mil, 24/26-pin
3.3V
AS4C4M4F1Q-50TC
AS4C4M4F1Q-60TC
4M4
E0
–XX
X
C
DRAM
prefix
C = 5V CMOS
LC = 3.3V CMOS4M×4
E0=4K refresh
E1=2K refresh
RAS access
time
Package:
J = SOJ 300 mil, 24/26
T = TSOP 300 mil, 24/26
Commercial temperature
range, 0°C to 70 °C
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線(xiàn)))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線(xiàn)）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M32MD3-15BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR3 存儲(chǔ)容量:16Gb（512M x 32） 時(shí)鐘頻率:667MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:178-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:178-FBGA（11.5x11） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:128
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