參數(shù)資料
型號： AS4C4M4FOQ
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式））
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4FOQ
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F\FOH
Symbol Parameter
t
WCS
Write command setup time
t
WCH
Write command hold time
t
WP
Write command pulse width
t
RWL
Write command to RAS lead time
t
CWL
Write command to CAS lead time
t
DS
Data-in setup time
t
DH
Data-in hold time
-50
-60
Unit
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
11
11
Min
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10
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–
–
–
–
–
–
Min
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10
10
10
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10
Max
–
–
–
–
–
–
–
12
12
Symbol Parameter
t
RWC
Read-write cycle time
t
RWD
RAS to WE delay time
t
CWD
CAS to WE delay time
t
AWD
Column address to WE delay time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
113
67
32
42
Max
–
–
–
–
Min
135
77
35
47
Max
–
–
–
–
11
11
11
Symbol Parameter
t
CSR
CAS setup time (CAS-before-RAS)
t
CHR
CAS hold time (CAS-before-RAS)
t
RPC
RAS precharge to CAS hold time
CAS precharge time
(CBR counter test)
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
Notes
3
3
Min
5
8
0
Max
–
–
–
Min
5
10
0
Max
–
–
–
t
CPT
10
10
–
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲容量:8Gb （512M x 16） 時鐘頻率:800MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 訪問時間:13.75ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲容量:8Gb （512M x 16） 時鐘頻率:800MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 訪問時間:13.75ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M32MD3-15BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR3 存儲容量:16Gb（512M x 32） 時鐘頻率:667MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:178-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:178-FBGA（11.5x11） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:128
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