參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4FOQ
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS QuadCAS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： AS4C4M4FOQ
#
$GYDQFH
#
LQIRUPDWLRQ
Copyright 1999 Alliance Semiconductor. All rights reserved.
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7
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IDVWSDJH
#
PRGH
,
)HDWXUHV
Organization: 4,194,304 words × 4 bits
High speed
- 50/60 ns RAS access time
- 25/30 ns column address access time
- 12/15 ns CAS access time
Low power consumption
- Active: 495 mW max
- Standby:5.5 mW max, CMOS I/O
Fast page mode
Refresh
- 4096 refresh cycles, 64 ms refresh interval for
4C4M4FOQ
- 2048 refresh cycles, 32 ms refresh interval for
AS4C4M4F1Q
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh or self-refresh
TTL-compatible, three-state I/O
4 separate CAS pins allow for separate I/O operation
JEDEC standard package
- 300 mil, 28-pin SOJ
- 300 mil, 28-pin TSOP
Latch-up current
≥
200 mA
ESD protection
≥
2000 mV
3LQ
#
DUUDQJHPHQW
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
28
27
26
25
24
23
22
21
*NC/A11
CAS0
CAS1
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
SOJ
A
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
28
27
26
25
24
23
22
21
*NC/A11
CAS0
CAS1
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
TSOP
A
* NC on 2K refresh version; A11 on 4K refresh version
NC
3LQ
#
GHVLJQDWLRQ
Pin(s)
A0 to A11
RAS
CAS0 to CAS3
WE
I/O0 to I/O3
OE
V
CC
GND
Description
Address inputs
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Input/output
Output enable
Power
Ground
6HOHFWLRQ
#
JXLGH
Symbol
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
4C4M4FOQ-50
AS4C4M4F1Q-50
50
25
12
13
85
20
90
1.0
4C4M4FOQ-60
AS4C4M4F1Q-60
60
30
15
15
100
24
80
1.0
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
Maximum RAS access time
Maximum column address access time
Maximum CAS access time
Maximum output enable (OE) access time
Minimum read or write cycle time
Minimum fast page mode cycle time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E5 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M32MD3-15BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR3 存儲(chǔ)容量:16Gb（512M x 32） 時(shí)鐘頻率:667MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:178-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:178-FBGA（11.5x11） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:128
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