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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640W30 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | 1.8伏英特爾無線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30） |
| 文件頁數(shù)： | 64/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F640W30 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
58
Preliminary
14.0
Ordering Information
Figure 28. Component Ordering Breakdown
Table 17. Valid Component Combinations
Stacked-CSP
VF BGA
μBGA*
3
RD28F3204W30T70
RD28F3204W30B70
RD28F3204W30T85
RD28F3204W30B85
GE28F320W30T70
GE28F320W30B70
GE28F320W30T85
GE28F320W30B85
6
RD28F6408W30T70
RD28F6408W30B70
RD28F6408W30T85
RD28F6408W30B85
GT28F640W30T70
GT28F640W30B70
GT28F640W30T85
GT28F640W30B85
1
TBD
TBD
R D 2 8 F 6 4 0 8 W
T 7 0
Package Designator,
Extended Temperature
(-25 C to +85 C)
GE = 0.75 MM VF BGA
RD = Stacked CSP
GT = 0.75 MM μBGA*
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed
70 ns
85 ns
Product Family
W30 = 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory
with 3 Volt I/O and SRAM
V
CC
= 1.70 V - 1.90 V
V
CCQ
= 2.20 V - 3.30 V
Flash Density
320 = x16 (32-Mbit)
640 = x16 (64-Mbit)
128 = x16 (128-Mbit)
Parameter Partition
T =
Top Parameter
Device
B =
Bottom Parameter
Device
SRAM Density for
Stacked-CSP Products
Only
4 = x16 (4-Mbit)
8 = x16 (8-Mbit)
3 0
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