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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640W30 |
| 廠(chǎng)商： | Intel Corp. |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | 1.8伏英特爾無(wú)線(xiàn)閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F640W30 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
38
Preliminary
NOTES:
1. AC test inputs are driven at V
for a Logic “1” and 0.0 V for a Logic “0.” Input timing begins, and output
timing ends, at V
CCQ
/2. Input rise and fall times (10% to 90%) < 5 ns. Worst case speed conditions are when
V
= V
Min.
2. Timing conditions apply to both flash and SRAM.
NOTES:
1. See table for component values.
2. Test configuration component value for worst case speed conditions.
3. C
L
includes jig capacitance.
11.4
Discrete Capacitance
(32-Mbit VF BGA Package)
T
A
= +25°C, f = 1 MHz
NOTE:
1. Sampled, not 100% tested.
Figure 12. AC Input/Output Reference Waveform
V
CCQ
0V
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
Test Points
Input
Output
Figure 13. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Device
Under Test
V
CCQ
C
L
R
2
R
1
Out
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(
)
R
2
(
)
V
CCQ
Min Standard Test
30
25K
25K
Sym
Parameter
(1)
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
C
CE
CE# Input Capacitance
10
12
pF
V
IN
= 0.0 V
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